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基礎(chǔ)信息Product information

產(chǎn)品名稱：美國吉時(shí)利數(shù)字源表源測(cè)量單元SMU

產(chǎn)品型號(hào)：KEITHLEY2450

更新時(shí)間：2024-08-17

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

中國電子行業(yè)儀器優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商——堅(jiān)融實(shí)業(yè)JETYOO INDUSTRIAL，Support、銷售Sale、服務(wù)Service，3S公司，提供解決方案、測(cè)試測(cè)量技術(shù)改進(jìn)、技術(shù)培訓(xùn)、采購管理、售后維修服務(wù)。吉時(shí)利KEITHLEY2400系列源表研究領(lǐng)域：
各種器件的I-V功能測(cè)試和特征分析，包括：
離散和無源元件
–兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅(qū)動(dòng)器頭、金屬氧化物可變電阻（MOV）、二極管、

產(chǎn)品特性Product characteristics

 中國電子行業(yè)儀器優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商——堅(jiān)融實(shí)業(yè)JETYOO INDUSTRIAL，Support、銷售Sale、服務(wù)Service，3S公司，提供解決方案、測(cè)試測(cè)量技術(shù)改進(jìn)、技術(shù)培訓(xùn)、采購管理、售后維修服務(wù)。

吉時(shí)利KEITHLEY2400系列源表研究領(lǐng)域：
各種器件的I-V功能測(cè)試和特征分析，包括：
 離散和無源元件 
–兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅(qū)動(dòng)器頭、金屬氧化物可變電阻（MOV）、二極管、齊納二極管、電容、熱敏電阻
–三抽頭器件——小信號(hào)雙極結(jié)型晶體管（BJT）、場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）等等 
 簡(jiǎn)單IC器件——光學(xué)器件、驅(qū)動(dòng)器、開關(guān)、傳感器
 集成器件——小規(guī)模集成（SSI）和大規(guī)模集成（LSI）
–模擬IC 
–射頻集成電路（RFIC）
–集成電路（ASIC）
–片上系統(tǒng)（SoC）器件
 光電器件，例如發(fā)光二極管（LED）、激光二極管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）、顯示器
 圓片級(jí)可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、電遷移
 太陽能電池
 電池
暫態(tài)抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二極管、激光二極管模塊、LED、光電檢測(cè)器
電路保護(hù)器件:
TVS、MOV、熔絲
安全氣囊
連接器、開關(guān)、繼電器
碳納米管
半導(dǎo)體納米線
碳納米管 FET
納米傳感器和陣列
單電子晶體管
分子電子
有機(jī)電子
基本運(yùn)放電路
二極管和電路
晶體管電路

測(cè)試：
漏流
低壓、電阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔離與軌跡電阻
溫度系數(shù)
正向電壓、反向擊穿、漏電流
直流參數(shù)測(cè)試
直流電源
HIPOT
介質(zhì)耐受性

雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)
太陽能電池和 LED 設(shè)計(jì)
高電子遷移率晶體管設(shè)計(jì)
復(fù)合半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)

分析納米材料和實(shí)驗(yàn)器件
碳納米管的電測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)
測(cè)量碳納米管電氣特性
提高納米電子和分子電子器件的低電流測(cè)量
在低功率和低壓應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確、可靠的電阻測(cè)量
納米級(jí)器件和材料的電氣測(cè)量
提高超高電阻和電阻率測(cè)量的可重復(fù)性
一種微分電導(dǎo)的改進(jìn)測(cè)量方法
納米技術(shù)準(zhǔn)確電氣測(cè)量的技術(shù)
納米級(jí)材料的電氣測(cè)量
降低外部誤差源影響的儀器技術(shù)
迎接65nm節(jié)點(diǎn)的測(cè)量挑戰(zhàn)
測(cè)量半導(dǎo)體材料的高電阻率和霍爾電壓
用微微微安量程測(cè)量電流
柵極電介質(zhì)電容電壓特性分析
評(píng)估氧化層的可靠性

的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和試驗(yàn)低電阻、低功耗半導(dǎo)體器
輸出極低電流和測(cè)量極低電壓分析現(xiàn)代材料、半導(dǎo)體和納米電子元件的電阻
低阻測(cè)量(低至10nΩ)分析導(dǎo)通電阻參數(shù)、互連和低功率半導(dǎo)體。
用于*進(jìn)CMOS技術(shù)的脈沖可靠性測(cè)試
高K柵極電介質(zhì)電荷俘獲行為的脈沖特性分析
用6線歐姆測(cè)量技術(shù)進(jìn)行更高準(zhǔn)確度的電阻測(cè)量
配置分立電阻器驗(yàn)證測(cè)試系統(tǒng)
電信激光二極管模塊的高吞吐率直流生產(chǎn)測(cè)試
多臺(tái)數(shù)字源表的觸發(fā)器同步
高亮度、可見光LED的生產(chǎn)測(cè)試
OLED顯示器的直流生產(chǎn)測(cè)試
在運(yùn)行中第5次測(cè)量用于偏置溫度不穩(wěn)定特性分析
數(shù)字源表的緩沖器以及如何用這兩個(gè)緩沖器獲取多達(dá)5000點(diǎn)數(shù)據(jù)
連接器的生產(chǎn)測(cè)試方案
射頻功率晶體管的直流電氣特性分析

1. MOS 電容器
C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
摻雜類型 – 氧化層厚度 – 平帶電壓 – 閾值電壓 – 襯底摻雜 – zui大耗盡層寬度 – 反型層到平衡的靈敏度：電壓掃描率和方向 – 光效應(yīng)和溫度效應(yīng)。
I-V 曲線分析：
電荷建立 (測(cè)量電壓 - 時(shí)間圖，用低電流源)； 氧化層電容測(cè)定； 與 C-V 曲線比較。
C-V 曲線 (準(zhǔn)靜態(tài)) 結(jié)合 C-V 曲線：
表面電位 Ψs 與施加電壓的關(guān)系 – Si (100) 的表面態(tài)密度 Dit = f (Ψs) 與 Si (111) 的相比：方向和后處理退火的影響。
C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
移動(dòng)氧化層電荷密度 (偏壓溫度應(yīng)力：200°C，10 分鐘，±10V)
 
2. 雙極結(jié)型晶體管
     主題
   正向共發(fā)射極輸出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測(cè)量。
   正向 CE 輸入特性：Ib = f (Vbe) 對(duì)于幾個(gè) Vce 正值。
   正向 Gummel 曲線： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確定增益 βf = Ic/Ib 和 af。
   Βf 與 log(Ic) 的關(guān)系： 低注入和高注入的效果。
   非理想特性：爾利電壓。
   反向 CE 輸出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反向 CE 傳輸特性：Ib=f(Vbe) 對(duì)于幾個(gè)Vce負(fù)值。
   反向 Gummel 曲線： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
   Βr 與 log(Ie) 的關(guān)系： 低注入和高注入的效果。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定，對(duì)于給定的 Ib 電流。
   Ebers Moll 模型構(gòu)建并且與實(shí)驗(yàn)做比較。
   BE 和 CE 結(jié)的 C-V 特性分析。基區(qū)摻雜濃縮。
 
3. 亞微米集成 MOSFET
輸出特性：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增強(qiáng)或耗盡)，溝道長度調(diào)制參數(shù)(λ) 在飽和區(qū)域 (VDS<–3V) 有效溝道長度與 VDS 的關(guān)系。
傳輸特性：
IDS = f(VGS) and Transconductance gm = f(VGS) in the linear region (VDS = –0.1V): Determination of the threshold voltage VT and of the transconductance factor k.  
Derivation of the effective channel mobility μeff as function of VGS.
襯底偏壓特性： 
IDS = f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS = –0.1V). Doping concentration substrate.
亞閾值特性：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDS values: Drain Induced Barrier Lowering (VT shift) effect.
襯底電流特性：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使用長溝道和短溝道公式的輸出特性模型：比較實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

美國吉時(shí)利KEITHLEY2400數(shù)字源表進(jìn)行VCSEL測(cè)試
美國吉時(shí)利KEITHLEY2400測(cè)量光伏電池的I-V特性
美國吉時(shí)利KEITHLEY2400系列數(shù)字源表的SCPI應(yīng)用轉(zhuǎn)換為2600系列源表的腳本應(yīng)用
美國吉時(shí)利KEITHLEY2400系列數(shù)字源表進(jìn)行IDDQ測(cè)試和待機(jī)電流測(cè)試
使用兩臺(tái)美國吉時(shí)利KEITHLEY2400型數(shù)字源表輸出2A電流
美國吉時(shí)利KEITHLEY2400或其它非脈沖模式源表產(chǎn)生電流 (或電壓) 脈沖
美國吉時(shí)利KEITHLEY2400系列數(shù)字源表提升多引腳器件的生產(chǎn)量
美國吉時(shí)利KEITHLEY2400數(shù)字源表創(chuàng)建可擴(kuò)縮、多引腳、多功能IC測(cè)試系統(tǒng)
美國吉時(shí)利KEITHLEY2402數(shù)字源表對(duì)激光二極管模塊和VCSEL進(jìn)行高吞吐率直流生產(chǎn)測(cè)試
美國吉時(shí)利KEITHLEY2400系列數(shù)字源表進(jìn)行二極管生產(chǎn)測(cè)試
美國吉時(shí)利KEITHLEY2400系列數(shù)字源表進(jìn)行高亮度、可見光LED的生產(chǎn)測(cè)試
美國吉時(shí)利KEITHLEY2400系列數(shù)字源表進(jìn)行IDDQ測(cè)試和待機(jī)電流測(cè)試
美國吉時(shí)利KEITHLEY2400 數(shù)字源表驗(yàn)證變阻器
美國吉時(shí)利KEITHLEY2400系列源表進(jìn)行電池放電/充電周期
美國吉時(shí)利KEITHLEY2400配置電阻網(wǎng)絡(luò)的生產(chǎn)測(cè)試系統(tǒng)
美國吉時(shí)利KEITHLEY2430 1kW 脈沖源表進(jìn)行大電流變阻器的生產(chǎn)測(cè)試
美國吉時(shí)利KEITHLEY2400數(shù)字源表進(jìn)行熱敏電阻的生產(chǎn)測(cè)試

美國吉時(shí)利KEITHLEY2450是吉時(shí)利的新一代數(shù)字源表源測(cè)量單元（SMU），并且能在您指尖真正實(shí)現(xiàn)歐姆定律（電流、電壓和電阻）測(cè)試。其新穎的圖形用戶接口（GUI）和*進(jìn)的容性觸摸屏技術(shù)方便直觀使用。此技術(shù)能讓學(xué)習(xí)曲線zui短并讓工程師和科學(xué)家更輕松地創(chuàng)造、更聰明地工作而且更快速地學(xué)習(xí)。2450是一款適合所有人的通用SMU，特別適于分析當(dāng)今現(xiàn)代縮微半導(dǎo)體、納米器件和材料、有機(jī)半導(dǎo)體、印制電子產(chǎn)品及其它小尺寸和低功率器件的特性。所有這一切，加上傳奇的吉時(shí)利高精度、高分辨率、高準(zhǔn)確度和高可靠性，為工程師和科學(xué)家提供全新層次的Touch, Test, Invent™以獲得全新、直觀的源測(cè)試體驗(yàn)。

美國吉時(shí)利KEITHLEY2450數(shù)字源表源測(cè)量單元（SMU）性能特點(diǎn)
5英寸、高分辨率容性觸摸屏圖形用戶界面
0.012%基本測(cè)量準(zhǔn)確度和6位半分辨率
增強(qiáng)靈敏度20mV和10nA源/測(cè)量范圍
源和阱（4象限）操作
4種“個(gè)性”模式用于快速設(shè)置和測(cè)量
上下文相關(guān)的前面板幫助
前面板輸入香蕉頭插座；后面板輸入三同軸連接
2450型增強(qiáng)SCPI和TSP®腳本編程模式
2400型SCPI兼容編程模式
前面板USB內(nèi)存端口用于數(shù)據(jù)/編程/配置I/O

標(biāo)配附件
8608    高性能測(cè)試引線
USB-B-1    USB電纜，Type A  ～Type B, 1m (3.3 ft)
C S -1616 -3    安全互鎖配套連接器
CA-180-3A  TSP-Link/以太網(wǎng)電纜
文檔CD
2450儀器快速啟動(dòng)指南
TSB 軟件(CD包含)
KickStart啟動(dòng)軟件(CD包含)
LabVIEW與IVI驅(qū)動(dòng)

美國吉時(shí)利KEITHLEY2450數(shù)字源表源測(cè)量單元（SMU）另外選購配件
1754型2線通用10片裝測(cè)試線套件（適用于175A、197A、2000、2001、2002、2010）
5804型Kelvin（4線）10件裝的通用測(cè)試線套件（適用于580、2400系列、數(shù)字多用表）
5805型Kelvin（4線）帶彈簧的探頭，長度為0.9米（3 ft）（適用于580、數(shù)字多用表）
5806型Kelvin（4線）特大號(hào)鱷魚夾測(cè)試線，長度為0.9米（3 ft）（適用于580、2400系列、數(shù)字多用表）
5808型低成本單探針，Kelvin探頭
5809型低成本Kelvin夾測(cè)試線組
8605型高性能模塊化測(cè)試線，長度為0.9米（3 ft），（適用于2000、2001、2002、2010、2400系列）
8606型高性能模塊化探頭套件（適用于2000、2001、2002、2010、2400系列）
237-ALG-2型低噪聲三同軸輸入電纜，一端接3槽公三同軸連接器另一端接3個(gè)鱷魚夾，長度為2米（6.6 ft），（適用于236、237、238、486、487、6514、6517A）
237-BAN-3A型三同軸至香蕉插頭（適用于7072、7072-HV、7172、數(shù)字多用表）
7078-TRX -1型低噪聲三同軸電纜，長度為0.3米（1 ft），（適用于236、237、238、6514、6517A、7072）
7078-TRX -3型低噪聲三同軸電纜，長度為0.9米（3 ft），（適用于236、237、238、6514、6517A、7072）
7078-TRX -5型低噪聲三同軸電纜，長度為1.5米（5 ft），（適用于236、237、238、6514、6517A、7072）
7078-TRX -10型低噪聲三同軸電纜，長度為3米（10 ft），（適用于236、237、238、6514、6517A、7072）
7078-TRX -12型低噪聲三同軸電纜，長度為3.5米（12 ft），（適用于236、237、238、6514、6517A、7072）
7078-TRX -20型低噪聲三同軸電纜，長度為6.1米（20 ft），（適用于236、237、238、6514、6517A、7072）
7078-TRX- GND型無防護(hù)3槽公三同軸至BNC適配器（適用于236、237、238、4801、6517A、7051、7072、7072-HV）
8607型1kV，2根香蕉插頭測(cè)試電纜，長度為1米（3.3 ft），（適用于2410、6430、6514、6517A）
CA -18-1型屏蔽電纜，兩端接雙香蕉插頭，長度為1.2米（4 ft），（適于輸入端子）
CAP-31型保護(hù)屏蔽/罩（適用于3接線柱三同軸連接器）
KPCI-488LPA，KPCI-488LPA型 IEEE-488.2 PCI Bus 插件板
KUSB-488B型 IEEE-488.2 USB-to-GPIB USB接口適配器
7007-1：雙層屏蔽高級(jí)GPIB接口電纜，長度1米（3.3ft）（用于GPIB互連）
7007-2：雙層屏蔽高級(jí)GPIB接口電纜，長度2米（6.6ft）（用于GPIB互連）
CA-180-3A型TSP-Link電纜
8501-1型DIN至DIN觸發(fā)連接電纜，長度為1米（3.3 ft），（適用于6517A、2400系列、KPC-TM、觸發(fā)連接輸入）
8501-2型DIN至DIN觸發(fā)連接電纜，長度為2米（6.6 ft），（適用于6517A、2400系列、KPC-TM、觸發(fā)連接輸入）
8101-PIV，8101-PIV型成分測(cè)試夾具-優(yōu)化低電壓設(shè)備測(cè)試

美國吉時(shí)利KEITHLEY2450數(shù)字源表源測(cè)量單元（SMU）系列產(chǎn)品
Model 2450-NFP Advanced Touchscreen SourceMeter SMU Instrument - No Front Panel
Model 2450-RACK Advanced Touchscreen SourceMeter SMU Instrument without Handle
Model 2450-NFP-RACK Advanced Touchscreen SourceMeter SMU Instrument - No Front Panel/Handle